秦国刚（1934.3. 19.— ）
祖籍江苏省昆山市。半导体材料物理专家，北京大学物理学院和介观物理与人工微结构国家重点实验室教授，博士生导师，中国科学院院士。
1934年3月19日生于南京，1952年考入北京大学物理系，1956年毕业。随后在该系做研究生，师从中国半导体物理的奠基人、国际著名固体物理学家黄昆教授，攻读固体物理和半导体物理，1961年2月毕业。1961－1962年在山东海洋学院任教，1962年8月调回北大任教至今。曾任物理系半导体物理教研室主任。1985年始任北京大学物理系教授。1986年被国务院学位办批准为博士生导师。2001年当选为中国科学院院士。现为北京大学物理学院和介观物理与人工微结构国际重点实验室教授。
秦国刚教授长期从事半导体物理研究，在半导体中杂质缺陷和深能级、金属与半导体接触、硅基发光、纳米半导体材料和有机半导体发光等领域取得了系统深入而富于创造性的研究成果
（1）最早测定硅中存在结构中含氢的深中心。
（2）发现硅中各主要辐照缺陷在含氢硅中的退火消失温度趋于基本一致。
（3）最早之一独立测定硅中硼-氢对的红外吸收谱，从而证实氢对浅受主的钝化作用是氢与浅受主形成复合物而不是补偿浅受主的结果。
（4）最早揭示氢能显著影响硅与金属接触的肖特基势垒高度。
（5）与博士后贾勇强于1993年撰文指出实际研究的多孔硅多是氧化多孔硅，它与纳米硅镶嵌氧化硅具有相同的发光机制，可用量子限制－发光中心模型描述光激发发生在纳米硅中，而光发射发生在复盖纳米硅的氧化硅层中邻近纳米硅的发光中心（杂质或缺陷）上。该模型解释了大量实验，获得广泛肯定和超过一百次的他引。
（6）1994年发现带自然氧化硅的p型硅片在淀积半透明金电极后有电致发光现象，若先除去自然氧化硅然再淀积半透明金电极，就不发光; 以n型硅片代替p型硅片也不发光。首次指出电致发光可来自氧化硅中发光中心；在此基础上设计并研制一系列硅基纳米硅(锗)/氧化硅电致发光新结构，并提出电致发光物理模型，受到广泛承认和引用。
（7）研究硅为阳极兼作衬底的有机半导体电致发光。对于硅的导电类型、电阻率和晶向，硅阳极与有机半导体间过渡层和顶发射复合阴极等对发光性能和效率的影响，进行了比过去远为系统和深入的研究。
秦国刚教授于1987年荣获国家教委科技进步一等奖，以后曾荣获国家教委科技进步二等奖和中国科学院自然科学奖二等奖，2001年荣获物理学会2000-2001年度叶企孙奖。
秦国刚教授在国内外学术刊物上发表论文250余篇，其中SCI论文170余篇。
